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UPMSP · इंटरमीडिएट परीक्षा · भौतिक विज्ञान

भौतिक विज्ञान — 2010 से रिपीटेड प्रश्न व हल

58 प्रश्न: 26 विकल्प, 20 लघु, 12 दीर्घ। प्रत्येक प्रश्न पर वर्ष टैग।

प्र. 1विकल्प / MCQ1 अंकस्थिर वैद्युतिकी · Electrostatics
वर्ष / Years: 20112014201720202023

गाउस प्रमेय के अनुसार किसी बंद पृष्ठ से गुजरने वाला कुल वैद्युत फ्लक्स होता है

According to Gauss theorem, the net electric flux through a closed surface is

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सही विकल्प: A — q / ε₀ (q = पृष्ठ द्वारा परिबद्ध आवेश)

Φ = q_enclosed / ε₀. यह गाउस का नियम है और बोर्ड में बार-बार पूछा जाता है।

प्र. 2विकल्प / MCQ1 अंकस्थिर वैद्युतिकी · Electrostatics
वर्ष / Years: 2010201520182022

C धारिता वाले संधारित्र में V विभव तक आवेशित करने पर संचित ऊर्जा है

Energy stored in a capacitor of capacitance C charged to potential V is

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सही विकल्प: A — ½ CV²

U = ½ QV = ½ CV² = Q² / 2C. तीनों रूप याद रखें।

प्र. 3विकल्प / MCQ1 अंकधारा विद्युत · Current Electricity
वर्ष / Years: 2012201620192024

किरचॉफ का संधि नियम किसके संरक्षण पर आधारित है

Kirchhoff junction rule is based on conservation of

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सही विकल्प: A — आवेश / charge

संधि पर आने वाली धारा = जाने वाली धारा; आवेश संरक्षण। लूप नियम ऊर्जा संरक्षण पर है।

प्र. 4विकल्प / MCQ1 अंकचुम्बकत्व · Magnetism
वर्ष / Years: 2013201720212024

R त्रिज्या की धारावाही वृत्ताकार कुंडली के केंद्र पर चुम्बकीय क्षेत्र है

Magnetic field at the centre of a current-carrying circular loop of radius R is

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सही विकल्प: A — μ₀ I / 2R

Biot–Savart से केंद्र पर B = μ₀ I / 2R, दिशा दायें हाथ के नियम से अक्ष के अनुदिश।

प्र. 5विकल्प / MCQ1 अंकवैद्युतचुम्बकीय प्रेरण · Electromagnetic Induction
वर्ष / Years: 2011201520182022

लेन्ज नियम प्रेरित धारा की दिशा बताता है ताकि वह

Lenz law gives the direction of induced current so that it

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सही विकल्प: A — कारण का विरोध करे / opposes the cause

प्रेरित धारा का प्रभाव उस परिवर्तन का विरोध करता है जिससे वह उत्पन्न हुई — ऊर्जा संरक्षण।

प्र. 6विकल्प / MCQ1 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2010201420192023

श्रेणी LCR परिपथ में अनुनाद पर प्रतिबाधा होती है

At resonance in a series LCR circuit, the impedance is

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सही विकल्प: A — R (न्यूनतम)

X_L = X_C अतः Z = √[R² + (X_L − X_C)²] = R, धारा अधिकतम।

प्र. 7विकल्प / MCQ1 अंकवैद्युतचुम्बकीय तरंगें · Electromagnetic Waves
वर्ष / Years: 2012201620202023

वैद्युतचुम्बकीय तरंग में वैद्युत व चुम्बकीय क्षेत्र होते हैं

In an electromagnetic wave, the electric and magnetic fields are

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सही विकल्प: A — परस्पर तथा संचरण के लंबवत् / mutually and to velocity

अनुप्रस्थ तरंग: E ⊥ B ⊥ k. निर्वात में c = 1/√(μ₀ε₀)।

प्र. 8विकल्प / MCQ1 अंककिरण प्रकाशिकी · Ray Optics
वर्ष / Years: 2011201520182021

25 cm फोकस दूरी वाले उत्तल लेंस की क्षमता है

Power of a convex lens of focal length 25 cm is

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सही विकल्प: A — +4 D

P = 1/f(m) = 1/0.25 = +4 डायोप्टर। उत्तल लेंस की क्षमता धनात्मक।

  1. Step 1 f = 25 cm = 0.25 m
  2. Step 2 P = 1/f = 1/0.25 = 4 D
  3. Step 3 उत्तल (अभिसारी) लेंस: चिह्न +
प्र. 9विकल्प / MCQ1 अंकतरंग प्रकाशिकी · Wave Optics
वर्ष / Years: 2013201720202024

यंग द्वि-स्लिट प्रयोग में फ्रिंज चौड़ाई β है

In Young double-slit experiment, fringe width β is

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सही विकल्प: A — λ D / d

β = λD/d जहाँ D पर्दे की दूरी, d स्लिट अंतराल। λ बढ़ाने या d घटाने से β बढ़ती है।

प्र. 10विकल्प / MCQ1 अंकविकिरण की द्वैत प्रकृति · Dual Nature of Radiation
वर्ष / Years: 2010201420182022

आइंस्टाइन प्रकाश-विद्युत समीकरण है

Einstein photoelectric equation is

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सही विकल्प: A — K_max = hν − φ

फोटॉन γ ऊर्जा hν; कार्यफलन φ निकालने के बाद शेष गतिज ऊर्जा। देहली: hν₀ = φ।

प्र. 11विकल्प / MCQ1 अंकपरमाणु एवं नाभिक · Atoms and Nuclei
वर्ष / Years: 2012201620192023

रेडियोऐक्टिव नमूने की सक्रियता की SI इकाई है

The SI unit of activity of a radioactive sample is

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सही विकल्प: A — बेकरेल / becquerel (Bq)

1 Bq = 1 विघटन/सेकंड। क्यूरी पुरानी इकाई: 1 Ci = 3.7 × 10¹⁰ Bq।

प्र. 12विकल्प / MCQ1 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 20112015201720212024

NAND द्वार का निर्गम 0 केवल तब होता है जब

The Boolean output of a NAND gate is 0 only when

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सही विकल्प: A — दोनों निवेश 1 हों / both inputs are 1

NAND = NOT of AND. सार्वत्रिक द्वार; AND केवल 1,1 पर 1 देता है अतः NAND तब 0।

प्र. 13लघु उत्तरीय2 अंकस्थिर वैद्युतिकी · Electrostatics
वर्ष / Years: 2010201320162020

स्थिर वैद्युतिकी का कूलॉम नियम लिखिए। सदिश रूप भी दीजिए।

State Coulomb law of electrostatics. Write its vector form.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

दो बिंदु आवेशों के बीच बल आवेशों के गुणनफल के अनुक्रमानुपाती तथा दूरी के वर्ग के व्युत्क्रमानुपाती होता है, दोनों को मिलाने वाली रेखा के अनुदिश।
F = (1/4πε₀) · (q₁q₂ / r²)
सदिश: →F₁₂ = (1/4πε₀) · (q₁q₂ / r²) · r̂₁₂
समान आवेश प्रतिकर्षण, विपरीत आकर्षण।

स्व-अंक:
प्र. 14लघु उत्तरीय2 अंकधारा विद्युत · Current Electricity
वर्ष / Years: 2012201520192023

अपवाह वेग परिभाषित कीजिए। धारा इससे कैसे संबंधित है?

Define drift velocity. How is current related to it?

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

अपवाह वेग (v_d) विद्युत क्षेत्र में मुक्त इलेक्ट्रॉनों का औसत वेग है।
I = n e A v_d
जहाँ n प्रति एकांक आयतन इलेक्ट्रॉन संख्या, A अनुप्रस्थ काट।
v_d बहुत छोटा (~10⁻⁴ m/s) होता है; धारा सूचना प्रकाश-समान क्षेत्र से फैलती है।

स्व-अंक:
प्र. 15लघु उत्तरीय2 अंकचुम्बकत्व · Magnetism
वर्ष / Years: 2011201420182022

एम्पियर का परिपथीय नियम लिखिए। एक अनुप्रयोग बताइए।

State Ampere circuital law. Give one application.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

किसी बंद पथ पर ∮ B · dl = μ₀ I_enclosed।
अनुप्रयोग: लंबे सीधे तार का क्षेत्र B = μ₀ I / 2π r; परिनालिका के भीतर B = μ₀ n I।
स्थिर धाराओं के लिए यह गाउस चुम्बकीय नियम का धारा रूप है।

स्व-अंक:
प्र. 16लघु उत्तरीय2 अंकवैद्युतचुम्बकीय प्रेरण · Electromagnetic Induction
वर्ष / Years: 2013201720212024

स्वप्रेरण गुणांक परिभाषित कीजिए। प्रेरक में संचित ऊर्जा का व्यंजक लिखिए।

Define self inductance. Write the expression for energy stored in an inductor.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

स्वप्रेरण L वह गुण है जिसके कारण कुंडली में धारा-परिवर्तन स्वयं में विरोधी emf उत्पन्न करता है: ε = −L (dI/dt)।
साथ ही φ = L I।
ऊर्जा U = ½ L I²।

स्व-अंक:
प्र. 17लघु उत्तरीय2 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2010201620192023

ट्रांसफॉर्मर का सिद्धांत क्या है? क्रोड पटलित क्यों होता है?

What is the principle of a transformer? Why is its core laminated?

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

पारस्परिक प्रेरण: प्राथमिक में प्रत्यावर्ती धारा द्वितीयक में बदलता फ्लक्स और प्रेरित emf देती है।
आदर्श: V_s / V_p = N_s / N_p = I_p / I_s।
पटलन भंवर धाराएँ घटाकर ऊष्मा-हानि कम करता है।

स्व-अंक:
प्र. 18लघु उत्तरीय2 अंककिरण प्रकाशिकी · Ray Optics
वर्ष / Years: 2012201520182022

पूर्ण आंतरिक परावर्तन की शर्तें लिखिए।

State the conditions for total internal reflection.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

1) किरण सघन माध्यम से विरल माध्यम की ओर जाए।
2) आपतन कोण क्रांतिक कोण i_c से बड़ा हो, जहाँ sin i_c = n₂ / n₁ (n₁ > n₂)।
अनुप्रयोग: ऑप्टिकल फाइबर, हीरे की चमक, एंडोस्कोपी।

स्व-अंक:
प्र. 19लघु उत्तरीय2 अंकतरंग प्रकाशिकी · Wave Optics
वर्ष / Years: 2011201420202024

ह्यूजेन्स का सिद्धांत लिखिए। इससे समझाई जाने वाली एक घटना का नाम बताइए।

State Huygens principle. Name one phenomenon it explains.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

किसी तरंगाग्र का प्रत्येक बिंदु द्वितीयक तरंगिकाओं का स्रोत है; नया तरंगाग्र इनका स्पर्शी पृष्ठ होता है।
व्याख्या: परावर्तन, अपवर्तन, विवर्तन। व्यतिकरण के लिए सुसंगत स्रोत आवश्यक।

स्व-अंक:
प्र. 20लघु उत्तरीय2 अंकविकिरण की द्वैत प्रकृति · Dual Nature of Radiation
वर्ष / Years: 201320172021

डी ब्रॉग्ली संबंध लिखिए। 150 V से त्वरित इलेक्ट्रॉन की तरंगदैर्घ्य ज्ञात कीजिए।

Write de Broglie relation. Calculate wavelength of an electron accelerated by 150 V. (h = 6.63×10⁻³⁴, m = 9.1×10⁻³¹, e = 1.6×10⁻¹⁹)

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 सूत्र: λ = h / √(2mK), K = eV
  2. Step 2 √150 ≈ 12.25
  3. Step 3 λ ≈ 1.227 / 12.25 ≈ 0.100 nm (1.00 Å)

λ = h / p = h / √(2m e V)
λ (nm) ≈ 1.227 / √V(V) ≈ 1.227 / √150 ≈ 0.10 nm।

स्व-अंक:
प्र. 21लघु उत्तरीय2 अंकपरमाणु एवं नाभिक · Atoms and Nuclei
वर्ष / Years: 2010201520192023

नाभिक का द्रव्यमान क्षति व बंधन ऊर्जा परिभाषित कीजिए।

Define mass defect and binding energy of a nucleus.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

द्रव्यमान क्षति Δm = [Z m_p + (A−Z) m_n] − M_nucleus।
बंधन ऊर्जा B = Δm c²; प्रति न्यूक्लिऑन B/A स्थायित्व दर्शाता है (⁵⁶Fe के निकट अधिकतम)।
रेडियोऐक्टिव क्षय में Q-मान धनात्मक होता है।

स्व-अंक:
प्र. 22लघु उत्तरीय2 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 2012201620202024

p–n संधि डायोड क्या है? प्रतीक बनाकर दिष्टकारी के रूप में उपयोग लिखिए।

What is a p–n junction diode? Draw the symbol and state its use as a rectifier.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

p व n अर्धचालकों की संधि पर अवक्षय परत व आंतरिक विभव बनता है।
अग्र अभिनति में चालन, पश्च में लगभग नहीं — एकदिशीय युक्ति।
अर्ध-तरंग: एक डायोड; पूर्ण-तरंग: सेंटर-टैप या ब्रिज।

स्व-अंक:
प्र. 23दीर्घ उत्तरीय5 अंकस्थिर वैद्युतिकी · Electrostatics
वर्ष / Years: 2011201420172021

गाउस प्रमेय लिखिए तथा इससे अनंत समरूप आवेशित समतल चादर (पृष्ठ घनत्व σ) का वैद्युत क्षेत्र ज्ञात कीजिए।

State Gauss theorem and use it to find electric field due to an infinite uniformly charged plane sheet of surface charge density σ.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 गाउस पृष्ठ: अक्ष चादर के लंबवत बेलन, प्रत्येक सिरे का क्षेत्रफल A
  2. Step 2 Φ = E A + E A + 0 = 2 E A
  3. Step 3 q_in = σ A, अतः 2 E A = σ A / ε₀
  4. Step 4 E = σ / (2ε₀), दिशा अभिलंब के अनुदिश

गाउस: किसी बंद पृष्ठ से कुल फ्लक्स = q_in / ε₀।
सममिति से E पृष्ठ के लंबवत व दोनों ओर समान। गाउसीय बेलन: दो सिरों से 2EA, वक्र पृष्ठ से 0।
q_in = σA ⇒ 2EA = σA/ε₀ ⇒ E = σ / 2ε₀ (दूरी से स्वतंत्र)।
दिशा: धनात्मक σ के लिए चादर से बाहर।

स्व-अंक:
प्र. 24दीर्घ उत्तरीय5 अंकधारा विद्युत · Current Electricity
वर्ष / Years: 2010201320182022

12 V बैटरी 4 Ω प्रतिरोध से जुड़ी है। (i) धारा (ii) शक्ति (iii) 2 मिनट में प्रवाहित आवेश ज्ञात कीजिए। ओम नियम से हल करें।

A 12 V battery is connected to a 4 Ω resistor. Find (i) current (ii) power consumed (iii) charge flowing in 2 minutes. Use Ohm law.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 ओम नियम: I = V / R = 12 / 4 = 3 A
  2. Step 2 शक्ति P = V I = 12 × 3 = 36 W (या I²R = 9 × 4 = 36 W)
  3. Step 3 समय t = 2 × 60 = 120 s
  4. Step 4 आवेश Q = I t = 3 × 120 = 360 C
  5. Step 5 उत्तर: 3 A, 36 W, 360 C

I = 3 A, P = 36 W, Q = 360 C। ओम: V = I R; शक्ति P = V I = I² R = V²/R; आवेश Q = I t।

स्व-अंक:
प्र. 25दीर्घ उत्तरीय5 अंकचुम्बकत्व · Magnetism
वर्ष / Years: 2012201620192023

चल-कुंडली गैल्वेनोमीटर का सिद्धांत, बनावट व कार्यविधि लिखिए। इसे अमीटर व वोल्टमीटर में कैसे बदलते हैं?

Describe the principle, construction and working of a moving-coil galvanometer. How is it converted into an ammeter and a voltmeter?

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 बलाघूर्ण τ = N I A B (रेडियल क्षेत्र)
  2. Step 2 संतुलन: N I A B = k θ ⇒ धारा विक्षेप के अनुक्रमानुपाती
  3. Step 3 अमीटर: शंट समानांतर — लगभग सारी धारा शंट से
  4. Step 4 वोल्टमीटर: उच्च श्रेणी प्रतिरोध — धारा नगण्य, विभव माप

सिद्धांत: धारावाही कुंडली पर चुम्बकीय आघूर्ण τ = N I A B sinθ; रेडियल क्षेत्र में τ = N I A B, कमानी संतुलन kθ ⇒ θ ∝ I।
बनावट: नरम लोहे की नाल चुंबक, ऐल्युमीनियम फ्रेम पर कुंडली, कमानी, दर्पण/सूचक।
अमीटर: बहुत छोटा शंट S समानांतर (S = I_g G / (I − I_g))।
वोल्टमीटर: बड़ा श्रेणी प्रतिरोध R = (V / I_g) − G।

स्व-अंक:
प्र. 26दीर्घ उत्तरीय5 अंककिरण प्रकाशिकी · Ray Optics
वर्ष / Years: 2011201520182024

20 cm फोकस दूरी के उत्तल लेंस से 30 cm पर वस्तु रखी है। प्रतिबिंब दूरी व आवर्धन ज्ञात कीजिए। प्रकृति बताइए। लेंस सूत्र से हल करें।

An object is placed 30 cm from a convex lens of focal length 20 cm. Find the image distance and magnification. State nature of the image. Use the lens formula.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 चिह्न परिपाटी: u = −30 cm, f = +20 cm (उत्तल)
  2. Step 2 लेंस सूत्र: 1/v − 1/u = 1/f
  3. Step 3 1/v = 1/f + 1/u = 1/20 + 1/(−30) = 3/60 − 2/60 = 1/60
  4. Step 4 v = +60 cm (दूसरी ओर, वास्तविक)
  5. Step 5 m = v/u = 60/(−30) = −2 (उल्टा, |m|=2)

v = +60 cm, m = −2। प्रतिबिंब वास्तविक, उल्टा, वस्तु से दोगुना बड़ा, दूसरी ओर 60 cm पर।

स्व-अंक:
प्र. 27दीर्घ उत्तरीय5 अंकविकिरण की द्वैत प्रकृति · Dual Nature of Radiation
वर्ष / Years: 2014201720202023

400 nm प्रकाश 2.0 eV कार्यफलन वाली धातु पर गिरता है। (i) फोटॉन ऊर्जा (ii) अधिकतम गतिज ऊर्जा (iii) निरोधी विभव ज्ञात कीजिए।

Light of wavelength 400 nm falls on a metal of work function 2.0 eV. Find (i) photon energy (ii) maximum KE of photoelectrons (iii) stopping potential. (Take hc = 1240 eV·nm)

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 फोटॉन ऊर्जा E = hc / λ = 1240 / 400 = 3.10 eV
  2. Step 2 आइंस्टाइन: K_max = E − φ = 3.10 − 2.00 = 1.10 eV
  3. Step 3 निरोधी विभव: e V₀ = K_max ⇒ V₀ = 1.10 V
  4. Step 4 चूँकि E > φ, उत्सर्जन संभव है

E = 3.10 eV, K_max = 1.10 eV, V₀ = 1.10 V। प्रकाश-विद्युत प्रभाव तरंग सिद्धांत से नहीं, क्वांटम से समझ आता है।

स्व-अंक:
प्र. 28दीर्घ उत्तरीय5 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 2010201320162021

p–n संधि में अवक्षय परत की उत्पत्ति समझाइए। अग्र व पश्च अभिनति में अंतर लिखिए। जीनर डायोड का उपयोग बताइए।

Explain the formation of a depletion layer in a p–n junction. Distinguish forward and reverse bias. Mention use of Zener diode.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 विसरण से आवेश-स्थानांतरण → अवक्षय व आंतरिक क्षेत्र
  2. Step 2 अग्र अभिनति: वाहक अंतःक्षेपण, कम प्रतिरोध
  3. Step 3 पश्च अभिनति: परत चौड़ी, उच्च प्रतिरोध
  4. Step 4 जीनर: स्थिर पश्च वोल्टता — रेगुलेटर परिपथ

इलेक्ट्रॉन n से p की ओर विसरण, होल विपरीत — आयनीकृत दाता/ग्राही अवक्षय परत व V_barrier बनाते हैं।
अग्र: p को + , अवरोध घटता है, धारा तेजी से बढ़ती है।
पश्च: अवरोध बढ़ता है, अल्पसंख्यक धारा नगण्य; भंजन पर अचानक वृद्धि।
जीनर पश्च भंजन में वोल्टता नियामक।

स्व-अंक:
प्र. 29विकल्प / MCQ1 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2011201520182022

प्रत्यावर्ती धारा I = I0 sin wt का rms मान है

The rms value of an alternating current I = I0 sin wt is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — I0 / sqrt(2)

I_rms = I0 / sqrt(2). Mean square over a full cycle, then square root.

  1. Step 1 I_rms^2 = (1/T) integral I0^2 sin^2(wt) dt = I0^2 / 2.
  2. Step 2 Hence I_rms = I0 / sqrt(2).
प्र. 30विकल्प / MCQ1 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2010201420192023

कुंडली की प्रेरणिक प्रतिघात X_L है

Inductive reactance X_L of a coil is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — ωL

X_L = ωL = 2π f L। आवृत्ति बढ़ाने पर X_L बढ़ती है।

प्र. 31विकल्प / MCQ1 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2012201620202024

श्रेणी LCR परिपथ का शक्ति गुणांक है

The power factor of a series LCR circuit is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — R / Z

cos φ = R / Z। अनुनाद पर Z = R अतः शक्ति गुणांक 1।

प्र. 32विकल्प / MCQ1 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 201320172021

धारितीय प्रतिघात X_C है

Capacitive reactance X_C is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — 1 / ωC

X_C = 1 / ωC। आवृत्ति बढ़ाने पर X_C घटती है।

प्र. 33विकल्प / MCQ1 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 2011201520182022

जीनर डायोड मुख्यतः प्रयुक्त होता है

A Zener diode is used mainly as a

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — वोल्टता नियामक / voltage regulator

पश्च भंजन क्षेत्र में वोल्टता लगभग स्थिर रहती है — रेगुलेटर परिपथ।

प्र. 34विकल्प / MCQ1 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 2010201420192023

उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर प्रवर्धक में निवेश व निर्गम के बीच कलांतर है

In a common-emitter transistor amplifier the phase difference between input and output is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — 180°

CE प्रवर्धक निर्गम को उलटा करता है; वोल्टता लाभ अधिक होता है।

प्र. 35विकल्प / MCQ1 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 2012201620202024

OR द्वार का निर्गम 0 केवल तब होता है जब

The output of an OR gate is 0 only when

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — दोनों निवेश 0 हों

OR: Y = A + B। केवल 0,0 पर 0; अन्यथा 1।

प्र. 36विकल्प / MCQ1 अंकपरमाणु एवं नाभिक · Atoms and Nuclei
वर्ष / Years: 201320172021

अर्धायु T½ व क्षय नियतांक λ का संबंध है

The half-life T½ and decay constant λ are related by

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — T½ = 0.693 / λ

N = N₀ e^{−λt}; N₀/2 पर t = ln2 / λ ≈ 0.693 / λ।

प्र. 37विकल्प / MCQ1 अंकपरमाणु एवं नाभिक · Atoms and Nuclei
वर्ष / Years: 2011201620192023

प्रति न्यूक्लिऑन बंधन ऊर्जा अधिकतम होती है लगभग

The binding energy per nucleon is maximum near

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — ⁵⁶Fe के निकट

B/A वक्र 56 के निकट शीर्ष पर — लोहे के आसपास नाभिक सबसे स्थायी।

प्र. 38विकल्प / MCQ1 अंकस्थिर वैद्युतिकी · Electrostatics
वर्ष / Years: 2010201520182022

बिंदु आवेश q के कारण दूरी r पर वैद्युत विभव है

Electric potential due to a point charge q at distance r is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — q / (4πε₀ r)

V = (1/4πε₀) q/r; अदिश राशि, अनंत पर शून्य मानकर।

प्र. 39विकल्प / MCQ1 अंकधारा विद्युत · Current Electricity
वर्ष / Years: 2012201420172024

2 Ω, 3 Ω व 6 Ω समानांतर में तुल्य प्रतिरोध है

Three resistors 2 Ω, 3 Ω and 6 Ω in parallel have equivalent resistance

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — 1 Ω

1/R = 1/2 + 1/3 + 1/6 = 3/6 + 2/6 + 1/6 = 1 ⇒ R = 1 Ω।

  1. Step 1 1/R = 1/2 + 1/3 + 1/6 = 3/6 + 2/6 + 1/6 = 1।
  2. Step 2 R = 1 Ω।
प्र. 40विकल्प / MCQ1 अंकवैद्युतचुम्बकीय प्रेरण · Electromagnetic Induction
वर्ष / Years: 201320162020

फैराडे के प्रेरण नियम के अनुसार प्रेरित emf होता है

Faraday law of induction states that induced emf is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — − dφ/dt

ε = − dφ_B / dt; ऋणात्मक चिह्न लेन्ज नियम है।

प्र. 41विकल्प / MCQ1 अंककिरण प्रकाशिकी · Ray Optics
वर्ष / Years: 2011201520192023

15 cm फोकस के अवतल दर्पण से 60 cm पर वास्तविक प्रतिबिंब बने तो वस्तु दूरी है

A concave mirror of focal length 15 cm forms a real image of an object at 60 cm. The object distance is

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — −20 cm

1/v + 1/u = 1/f; v = −60, f = −15 ⇒ 1/u = 1/f − 1/v = −1/15 + 1/60 = −1/20 ⇒ u = −20 cm।

  1. Step 1 चिह्न: अवतल, वास्तविक प्रतिबिंब — f = −15 cm, v = −60 cm।
  2. Step 2 1/u = 1/f − 1/v = −1/15 + 1/60 = (−4+1)/60 = −3/60 = −1/20।
  3. Step 3 u = −20 cm।
प्र. 42विकल्प / MCQ1 अंकतरंग प्रकाशिकी · Wave Optics
वर्ष / Years: 2010201420182022

दो स्रोत सुसंगत होते हैं यदि वे

Two sources are coherent if they

उत्तर / हल देखें ▶

सही विकल्प: A — स्थिर कलांतर रखें / have a constant phase difference

व्यतिकरण के लिए सुसंगत स्रोत आवश्यक; यंग प्रयोग में एक स्रोत से दो स्लिट।

प्र. 43लघु उत्तरीय2 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2012201620202024

100 Ω प्रतिरोध, 0.5 H प्रेरक व 40 μF संधारित्र 220 V, 50 Hz AC से श्रेणी में हैं। X_L, X_C तथा Z ज्ञात कीजिए।

A 100 Ω resistor, 0.5 H inductor and 40 μF capacitor are in series with 220 V, 50 Hz AC. Find X_L, X_C and the impedance Z.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 ω = 2πf = 2×3.14×50 = 314 rad/s।
  2. Step 2 X_L = ωL = 314 × 0.5 = 157 Ω।
  3. Step 3 X_C = 1/(ωC) = 1/(314 × 40×10⁻⁶) ≈ 1/0.01256 ≈ 79.6 Ω।
  4. Step 4 Z = √[R² + (X_L − X_C)²] = √[10000 + (77.4)²] ≈ √[10000+5990] ≈ 126 Ω।

X_L = 157 Ω; X_C = 79.6 Ω; Z ≈ 126 Ω।

स्व-अंक:
प्र. 44लघु उत्तरीय2 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2011201520192023

श्रेणी LCR का गुणवत्ता गुणांक Q परिभाषित कीजिए। L, R, C में व्यंजक लिखिए।

Define quality factor Q of a series LCR circuit. Write its expression in terms of L, R and C.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

Q = अनुनादी आवृत्ति / बैंड-चौड़ाई = ω₀ L / R = (1/R) √(L/C)।
उच्च Q = तीक्ष्ण अनुनाद, कम ऊर्जा-हानि।

स्व-अंक:
प्र. 45लघु उत्तरीय2 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 2010201420182022

NOR द्वार की सत्य सारणी लिखिए। इसे सार्वत्रिक द्वार क्यों कहते हैं?

Give the truth table of a NOR gate. Why is it called a universal gate?

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

निवेश 00→1; 01→0; 10→0; 11→0। Y = (A+B)̅।
केवल NOR से NOT, OR, AND बनाए जा सकते हैं — अतः सार्वत्रिक (NAND की तरह)।

स्व-अंक:
प्र. 46लघु उत्तरीय2 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 201320172021

नैज व अपद्रव्यी अर्धचालक में अंतर लिखिए। n-प्रकार व p-प्रकार क्या हैं?

Distinguish intrinsic and extrinsic semiconductors. What are n-type and p-type?

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

नैज: शुद्ध Si/Ge, n_e = n_h, चालकता कम। अपद्रव्यी: डोपिंग से चालकता बढ़ती।
n-प्रकार: पंचसंयोजी (P, As) — बहुसंख्यक इलेक्ट्रॉन। p-प्रकार: त्रिसंयोजी (B, Al) — बहुसंख्यक होल।

स्व-अंक:
प्र. 47लघु उत्तरीय2 अंकपरमाणु एवं नाभिक · Atoms and Nuclei
वर्ष / Years: 201120162020

किसी नमूने की अर्धायु 10 दिन है। 7/8 भाग क्षय होने का समय ज्ञात कीजिए। 30 दिन बाद बचा अंश भी बताइए।

A radioactive sample has half-life 10 days. Find the time in which 7/8 of the sample decays. Also find the fraction left after 30 days.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 बचा अंश = 1 − 7/8 = 1/8 = (1/2)³।
  2. Step 2 n = 3 अर्धायु ⇒ t = 3 × 10 = 30 दिन।
  3. Step 3 30 दिन = 3 T½ ⇒ बचा N/N₀ = 1/8।

7/8 क्षय ⇒ 1/8 बचा = 3 अर्धायु = 30 दिन। 30 दिन बाद बचा अंश 1/8।

स्व-अंक:
प्र. 48लघु उत्तरीय2 अंकपरमाणु एवं नाभिक · Atoms and Nuclei
वर्ष / Years: 2012201520192024

⁴He की बंधन ऊर्जा MeV में ज्ञात कीजिए। m_p = 1.0078 u, m_n = 1.0087 u, M = 4.0026 u; 1 u = 931 MeV।

Calculate the binding energy of ⁴He in MeV if m_p = 1.0078 u, m_n = 1.0087 u, M = 4.0026 u. Take 1 u = 931 MeV/c².

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 2p + 2n = 2×1.0078 + 2×1.0087 = 4.0330 u।
  2. Step 2 Δm = 4.0330 − 4.0026 = 0.0304 u।
  3. Step 3 B = 0.0304 × 931 ≈ 28.3 MeV।

Δm = 0.0304 u; B = 28.3 MeV (लगभग)।

स्व-अंक:
प्र. 49लघु उत्तरीय2 अंकस्थिर वैद्युतिकी · Electrostatics
वर्ष / Years: 2010201420182023

+4 μC व +1 μC आवेश 30 cm दूर हैं। तीसरा आवेश कहाँ रखें कि संतुलन में रहे?

Two point charges +4 μC and +1 μC are 30 cm apart. Where should a third charge be placed so that it is in equilibrium?

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 समान चिह्न: संतुलन दोनों के बीच। 4/x² = 1/(30−x)²।
  2. Step 2 2 / x = 1 / (30−x) ⇒ 2(30−x) = x ⇒ 60 = 3x ⇒ x = 20 cm।
  3. Step 3 4 μC से 20 cm, 1 μC से 10 cm। तीसरा आवेश का चिह्न कोई भी (बल विपरीत दिशा में बराबर)।

दोनों के बीच, 4 μC से 20 cm तथा 1 μC से 10 cm पर (√q अनुपात में)।

स्व-अंक:
प्र. 50लघु उत्तरीय2 अंकधारा विद्युत · Current Electricity
वर्ष / Years: 201320172021

किरचॉफ लूप नियम लिखिए। 6 V बैटरी, 2 Ω आंतरिक प्रतिरोध, 4 Ω लोड। धारा व टर्मिनल वोल्टता ज्ञात कीजिए।

State Kirchhoff loop rule. A 6 V battery and 2 Ω internal resistance are connected to a 4 Ω load. Find current and terminal voltage.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 कुल प्रतिरोध = r + R = 6 Ω।
  2. Step 2 I = E / (r+R) = 6/6 = 1 A।
  3. Step 3 टर्मिनल V = IR = 4 V।

लूप: बंद पथ पर विभव पातों का बीजगणितीय योग शून्य (ऊर्जा संरक्षण)।
I = 6/(2+4) = 1 A; V = E − Ir = 6 − 2 = 4 V (या IR = 4 V)।

स्व-अंक:
प्र. 51लघु उत्तरीय2 अंककिरण प्रकाशिकी · Ray Optics
वर्ष / Years: 201120162020

लेंस-निर्माता सूत्र लिखिए। R₁ = R₂ = 20 cm, μ = 1.5 द्विउत्तल लेंस की वायु में फोकस दूरी ज्ञात कीजिए।

Write the lens-maker formula. Find the focal length of a biconvex lens of R₁ = R₂ = 20 cm, μ = 1.5, in air.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 1/f = (1.5−1)(1/20 − 1/(−20)) = 0.5 (1/20 + 1/20) = 0.5 × (1/10) = 1/20।
  2. Step 2 f = +20 cm (अभिसारी)।

1/f = (μ−1)(1/R₁ − 1/R₂); चिह्न: R₁ = +20, R₂ = −20। f = +20 cm।

स्व-अंक:
प्र. 52लघु उत्तरीय2 अंकविकिरण की द्वैत प्रकृति · Dual Nature of Radiation
वर्ष / Years: 2012201520182022

प्रकाश-विद्युत उत्सर्जन के दो नियम लिखिए जिन्हें तरंग सिद्धांत नहीं समझाता।

State two laws of photoelectric emission that the wave theory cannot explain.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶

1) देहली आवृत्ति से नीचे कोई उत्सर्जन नहीं, तीव्रता कितनी भी हो।
2) K_max आवृत्ति पर निर्भर, तीव्रता पर नहीं; उत्सर्जन लगभग तत्काल। तरंग सिद्धांत ऊर्जा समय के साथ संचित मानता।

स्व-अंक:
प्र. 53दीर्घ उत्तरीय5 अंकप्रत्यावर्ती धारा · Alternating Current
वर्ष / Years: 2010201420182022

श्रेणी LCR: L = 0.4 H, C = 100 μF, R = 30 Ω, स्रोत 120 V, 50 Hz। (i) X_L (ii) X_C (iii) Z (iv) धारा (v) शक्ति गुणांक (vi) औसत शक्ति ज्ञात कीजिए।

A series LCR circuit has L = 0.4 H, C = 100 μF and R = 30 Ω, driven by 120 V, 50 Hz. Find (i) X_L (ii) X_C (iii) Z (iv) current (v) power factor (vi) average power.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 ω = 2π×50 = 314 rad/s।
  2. Step 2 X_L = 314×0.4 = 125.6 Ω; X_C = 1/(314×10⁻⁴) ≈ 31.8 Ω।
  3. Step 3 X_L − X_C ≈ 93.8 Ω; Z = √(30² + 93.8²) ≈ √(900+8800) ≈ 98.5 Ω।
  4. Step 4 I = V/Z = 120/98.5 ≈ 1.22 A।
  5. Step 5 cos φ = R/Z = 30/98.5 ≈ 0.305 (पश्चगामी, क्योंकि X_L > X_C)।
  6. Step 6 P_av = V I cos φ = 120×1.22×0.305 ≈ 45 W (लगभग)।

X_L = 125.6 Ω; X_C = 31.8 Ω; Z ≈ 99 Ω; I ≈ 1.21 A; cos φ ≈ 0.30; P_av ≈ 44 W।

स्व-अंक:
प्र. 54दीर्घ उत्तरीय5 अंकअर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी · Semiconductor Electronics
वर्ष / Years: 2011201520192023

सेंटर-टैप पूर्ण-तरंग दिष्टकारी (दो डायोड) की कार्यविधि समझाइए। निवेश-निर्गम तरंग का विचार लिखिए। संधारित्र फिल्टर ऊर्मिका कैसे घटाता है? LED का एक उपयोग बताइए।

Explain the working of a full-wave rectifier using two diodes (centre-tap). Draw the idea of input and output waveforms. How does a capacitor filter reduce ripple? Mention one use of an LED.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 सेंटर-टैप द्वितीयक: दो समान अर्ध, मध्य भूमिसम।
  2. Step 2 धनात्मक अर्ध: D1 चालन; ऋणात्मक: D2 चालन — लोड धारा एकदिश।
  3. Step 3 फिल्टर C लोड के समानांतर: औसत DC बढ़ा, ऊर्मिका घटा।
  4. Step 4 LED: p–n संधि अग्र में पुनःसंयोजन से फोटॉन।

प्रत्येक अर्ध-चक्र में एक डायोड अग्र होता है; लोड पर दोनों अर्ध-चक्र एक ही दिशा में। निर्गम आवृत्ति 2f।
संधारित्र शिखर पर आवेशित होकर गर्त में निर्वहन — ऊर्मिका घटती है।
LED: संकेतक, डिस्प्ले; अग्र अभिनति में प्रकाश।

स्व-अंक:
प्र. 55दीर्घ उत्तरीय5 अंकपरमाणु एवं नाभिक · Atoms and Nuclei
वर्ष / Years: 2012201620202024

क्षय नियतांक 1.386 × 10⁻¹⁰ s⁻¹ है। (i) अर्धायु (ii) माध्य आयु (iii) 1 μg नमूने की सक्रियता ज्ञात कीजिए जिसमें 2.5 × 10¹⁵ नाभिक हैं।

The decay constant of a nucleus is 1.386 × 10⁻¹⁰ s⁻¹. Find (i) half-life (ii) mean life (iii) activity of 1 μg sample if it has 2.5 × 10¹⁵ nuclei. Take ln 2 = 0.693.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 T½ = 0.693 / λ = 0.693 / (1.386 × 10⁻¹⁰) = 0.5 × 10¹⁰ = 5.0 × 10⁹ s।
  2. Step 2 माध्य आयु τ = 1/λ = 1 / 1.386×10⁻¹⁰ ≈ 7.2 × 10⁹ s।
  3. Step 3 सक्रियता A = λ N = 1.386×10⁻¹⁰ × 2.5×10¹⁵ = 3.465 × 10⁵ Bq।
  4. Step 4 अर्थ: लगभग 3.5 × 10⁵ विघटन प्रति सेकंड।

T½ = 5.0 × 10⁹ s; τ = 7.2 × 10⁹ s; A = λN ≈ 3.47 × 10⁵ Bq।

स्व-अंक:
प्र. 56दीर्घ उत्तरीय5 अंकचुम्बकत्व · Magnetism
वर्ष / Years: 2010201420172021

लंबे सीधे तार में 10 A धारा है। तार से 4 cm पर B ज्ञात कीजिए। इसी दूरी पर समांतर गतिशील प्रोटॉन (v = 2×10⁶ m/s) पर बल ज्ञात कीजिए।

A long straight wire carries 10 A. Find the magnetic field at 4 cm from the wire. A proton (v = 2 × 10⁶ m/s) moves parallel to the wire at this distance. Find the force on it. (μ₀/4π = 10⁻⁷)

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 B = μ₀ I / (2π r) = (2×10⁻⁷ × I) / r = (2×10⁻⁷ × 10) / 0.04 = 2×10⁻⁶ / 0.04 = 5×10⁻⁵ T।
  2. Step 2 F = q v B sin90° = (1.6×10⁻¹⁹)(2×10⁶)(5×10⁻⁵) = 1.6×10⁻¹⁷ N।
  3. Step 3 दिशा: दायें हाथ से B वृत्ताकार; Lorentz बल वेग व B दोनों के लंबवत।

B = 5.0 × 10⁻⁵ T; F = 1.6 × 10⁻¹⁷ N।

स्व-अंक:
प्र. 57दीर्घ उत्तरीय5 अंककिरण प्रकाशिकी · Ray Optics
वर्ष / Years: 2013201720192023

गोलीय पृष्ठ पर अपवर्तन का संबंध व्युत्पन्न कीजिए। इससे वायु में पतले लेंस का सूत्र प्राप्त कीजिए।

Derive the relation for refraction at a spherical surface. Use it to obtain the lens formula for a thin lens in air.

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 बिंदु वस्तु, परक्षीय किरण, स्नेल: μ₁ i ≈ μ₂ r छोटे कोण।
  2. Step 2 ज्यामिति: i = α + γ इत्यादि से μ₂/v − μ₁/u = (μ₂−μ₁)/R।
  3. Step 3 दूसरा पृष्ठ: प्रतिबिंब वस्तु, चिह्न बदलकर जोड़ने पर लेंस-निर्माता।
  4. Step 4 1/f = (μ−1)(1/R₁ − 1/R₂) तथा 1/v − 1/u = 1/f।

गोलीय पृष्ठ: μ₂/v − μ₁/u = (μ₂ − μ₁)/R (चिह्न परिपाटी सहित)।
दो पृष्ठ: 1/v − 1/u = (μ−1)(1/R₁ − 1/R₂) = 1/f। यही लेंस सूत्र 1/v − 1/u = 1/f है।

स्व-अंक:
प्र. 58दीर्घ उत्तरीय5 अंकवैद्युतचुम्बकीय तरंगें · Electromagnetic Waves
वर्ष / Years: 2011201520182024

वैद्युतचुम्बकीय तरंगों के चार गुण लिखिए। X-किरण, रेडियो, सूक्ष्म तरंग व दृश्य प्रकाश को बढ़ती आवृत्ति में लिखिए। ये तरंगें कैसे उत्पन्न होती हैं?

Write four properties of electromagnetic waves. Arrange X-rays, radio waves, microwaves and visible light in increasing frequency. How are EM waves produced?

उत्तर / step-by-step हल देखें ▶
  1. Step 1 मैक्सवेल: बदलता E → B, बदलता B → E — स्व-संपोषित तरंग।
  2. Step 2 E/B = c निर्वात में।
  3. Step 3 स्पेक्ट्रम आवृत्ति क्रम याद रखें।
  4. Step 4 त्वरित आवेश विकिरण करता है।

गुण: निर्वात में c = 1/√(μ₀ε₀); E ⊥ B ⊥ संचरण; अनुप्रस्थ; ऊर्जा (ε₀E²/2 + B²/2μ₀); कोई माध्यम नहीं।
आवृत्ति बढ़ती: रेडियो < सूक्ष्म < दृश्य < X-किरण।
उत्पत्ति: त्वरित आवेश / दोलित द्विध्रुव; स्पेक्ट्रम क्षेत्र अलग स्रोत (एंटेना, क्लाइस्ट्रॉन, परमाणु संक्रमण, X-किरण नली)।

स्व-अंक:

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